全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格連漲兩年，手機(jī)廠商等下游廠商怨聲載道接連投訴后，三大存儲(chǔ)芯片巨頭終于迎來了中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)的調(diào)查。
據(jù)報(bào)道，5月31日，中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)派出多個(gè)工作小組，分別對(duì)三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調(diào)查”和現(xiàn)場(chǎng)取證，標(biāo)志著中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)正式對(duì)三家企業(yè)展開立案調(diào)查。
對(duì)此，三星中國(guó)公司相關(guān)負(fù)責(zé)人對(duì)媒體確認(rèn)了上述消息，“5月31日有過現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查，目前我們正在協(xié)助調(diào)查，中國(guó)三星在接受問詢當(dāng)中。”
存儲(chǔ)芯片連漲兩年，勢(shì)頭不減
自2016年三季度以來,存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲周期已經(jīng)持續(xù)了近兩年時(shí)間，且仍沒有停止的跡象。據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)，從2016年6月1日到2018年2月1日，4GB的DRAM內(nèi)存價(jià)格上漲了130%。僅在2017年，DRAM內(nèi)存價(jià)格就上漲了47%，創(chuàng)下近30年來最大漲幅。
信達(dá)證券認(rèn)為，本次存儲(chǔ)器價(jià)格大幅增長(zhǎng)的原因主要有兩個(gè)：一是下游需求快增長(zhǎng)，隨著云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、汽車電子、消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，存儲(chǔ)器的需求越來越高，以智能手機(jī)為例，除蘋果在運(yùn)行內(nèi)存方面比較保守，4GB內(nèi)存已成為安卓千元機(jī)標(biāo)配，內(nèi)存需求越來越高;二是供給端產(chǎn)能下降，DDR3升級(jí)到DDR4，DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)去生產(chǎn)3DNAND，部分存儲(chǔ)器廠商由生產(chǎn)2DNAND轉(zhuǎn)向生產(chǎn)3DNAND，建廠周期較長(zhǎng)影響了存儲(chǔ)芯片的供應(yīng)。
此外，高度集中的市場(chǎng)格局也是存儲(chǔ)芯片價(jià)值保持高位的重要原因。目前，三星、海力士、美光是全球三大存儲(chǔ)芯片巨頭，在DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ))、NAND Flash(閃存)兩大產(chǎn)品線中占據(jù)全球絕大多數(shù)市場(chǎng)份額。
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)發(fā)布的數(shù)據(jù)，在DRAM市場(chǎng)，三星、海力士、美光的市場(chǎng)份額分別為44.5%、27.9%、22.9%，三家合計(jì)占比95.3%，幾乎壟斷整個(gè)市場(chǎng);在NAND市場(chǎng)，三星、海力士、美光的市場(chǎng)份額分別為39%、10.5%、11.3%，三家合計(jì)也高達(dá)60.8%。
存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮讓三家公司賺得盆滿缽滿。根據(jù)美光、三星、海力士財(cái)報(bào)統(tǒng)計(jì)，2017年，三家公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)營(yíng)收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計(jì)446.8億美元，同比2016財(cái)年的321億美元增長(zhǎng)39.16%。
尤其是三星公司，在Note7"爆炸門"后，其手機(jī)品牌形象受到重創(chuàng)。但是，三星在手機(jī)市場(chǎng)上喪失的利潤(rùn)，卻在芯片領(lǐng)域加倍要了回來。財(cái)報(bào)顯示，2017年三星營(yíng)收239.58兆韓元(約合2238億美元)，同比增長(zhǎng)18.7%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)53.65兆韓元(約合501.7億美元)，同比增長(zhǎng)83.5%，凈利潤(rùn)42.19兆韓元(約合394.6億美元)，同比增長(zhǎng)85.7%。
2017年，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入只占三星總營(yíng)收的20%，但貢獻(xiàn)了65.64%的凈利潤(rùn)。其中，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)營(yíng)收253.86億元，占半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總營(yíng)收近51%。憑借著半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)，三星在全球芯片市場(chǎng)的排位更是在去年第二季度超過了老大英特爾。
根據(jù)相關(guān)規(guī)定，可以讓這些企業(yè)繳納銷售額1%-10%的罰款，這次反壟斷調(diào)查，如果裁定三大巨頭存在價(jià)格壟斷行為，以2016-2017年度銷售額進(jìn)行處罰，那么罰金將在8億美元-80億美元之間。
中國(guó)廠商成漲價(jià)最大受害者
目前，中國(guó)是全球最主要的存儲(chǔ)芯片消費(fèi)國(guó)。根據(jù)研究公司TrendForce提供的數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)消耗了全球20%的DRAM內(nèi)存芯片和25%的NAND閃存芯片。海關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長(zhǎng)了39.56%。
三星內(nèi)存條
芯片價(jià)格飆漲讓中國(guó)的手機(jī)廠商等承受了巨大的成本壓力，一時(shí)間中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)也被迫掀起了一波漲價(jià)潮。去年12月，曾有手機(jī)廠商因?yàn)榇鎯?chǔ)器價(jià)格上漲和供應(yīng)不暢，向發(fā)改委對(duì)三星提出了檢舉。
今年4、5月份，有美國(guó)消費(fèi)者也對(duì)三星等廠商進(jìn)行了指控，稱其操控內(nèi)存行業(yè)零售價(jià)格。4月27日，美國(guó)律師事務(wù)所Hagens Berman在加州北部地區(qū)法院對(duì)美光、三星、海力士發(fā)起反壟斷集體訴訟。該律師事務(wù)所稱，調(diào)查顯示，DRAM制造商協(xié)商同意通過限制DRAM的供應(yīng)來提高DRAM的價(jià)格。
事實(shí)上，存儲(chǔ)芯片寡頭之間形成價(jià)格聯(lián)盟并非首次。三星曾被指控從 1999 年到 2002 年人為抬高 DRAM 價(jià)格。海力士也被指控價(jià)格壟斷陰謀。2002年，美國(guó)司法部向美光、三星、海力士、英飛凌等公司的價(jià)格壟斷行為展開調(diào)查。
2005-2006年，三星、海力士、英飛凌、爾必達(dá)先后承認(rèn)價(jià)格壟斷行為，別被罰款3億美元、1.85 億美元、1.6 億美元、8400萬美元，總計(jì)7.29 億美元。美光因率先認(rèn)罪并協(xié)助調(diào)查而免于處罰。
三大陣營(yíng)穩(wěn)步推進(jìn)，2019年有望成國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)元年
為了擺脫受制于人的局面，掌握行業(yè)話語權(quán)，中國(guó)在芯片領(lǐng)域重金投入。研究機(jī)構(gòu)指出，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于行動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營(yíng)為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來看，其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018年下半年，隨著三大陣營(yíng)的量產(chǎn)的時(shí)間可能皆落在2019年上半年，揭示著2019年將成為中國(guó)存儲(chǔ)器生產(chǎn)元年。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2015年11月，紫光國(guó)芯發(fā)布定增額度預(yù)案，在存儲(chǔ)器領(lǐng)域投入932億元建設(shè)存儲(chǔ)芯片工廠。而后，又認(rèn)購(gòu)多家半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域封測(cè)廠股份，并在收購(gòu)武漢新芯后成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)，著力發(fā)展大規(guī)模存儲(chǔ)器。
今年4月5日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首批400萬美元的精密儀器開始進(jìn)場(chǎng)安裝，標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。5月19日，價(jià)值7200萬美元的首臺(tái)193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)抵達(dá)武漢，將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第一臺(tái)光刻機(jī)，用于生產(chǎn)14nm~20nm工藝芯片。
根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)規(guī)劃，預(yù)計(jì)7月底或8月初具備試生產(chǎn)條件，年內(nèi)將可產(chǎn)出5000片32層三維NAND閃存芯片;2019年，32層三維NAND閃存芯片產(chǎn)量將提升至每年10萬片，當(dāng)年年底試產(chǎn)64層三維NAND閃存芯片;2020年，64層三維NAND閃存芯片產(chǎn)能將提升至每年10萬片，并研發(fā)具有全球先進(jìn)水平的128層三維NAND閃存芯片。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)重點(diǎn)聚焦的是64層3D NAND芯片。如果一切進(jìn)展順利，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2019年開始量產(chǎn)64層的3D NAND閃存，屆時(shí)他們與三星等大廠的差距就可縮短在2年以內(nèi)。
福建晉華
國(guó)家重點(diǎn)支持DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，由福建省電子信息集團(tuán)及泉州、晉江兩級(jí)政府共同投資。項(xiàng)目被國(guó)家納入了“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃項(xiàng)目列表，并獲得首筆30億元人民幣的國(guó)家專項(xiàng)建設(shè)基金支持。
2016年5月，福建晉華宣布與聯(lián)電合作，將結(jié)合臺(tái)灣的半導(dǎo)體制造能力以及中國(guó)大陸的市場(chǎng)與資金。由聯(lián)電在臺(tái)灣進(jìn)行技術(shù)研發(fā)，晉華提供DRAM特用裝備，技術(shù)成果為雙方所共同擁有，共同角逐市場(chǎng)份額。
有關(guān)媒體報(bào)道,福建晉華集成電路公司的生產(chǎn)線設(shè)備安裝將于7月底完成，三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，預(yù)計(jì)達(dá)到6萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模。
合肥長(zhǎng)鑫
早在2013年，合肥市政府便出臺(tái)了《合肥市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2013—2020年)》。規(guī)劃提出，合肥將重點(diǎn)發(fā)展芯片設(shè)計(jì)業(yè)和特色晶圓制造，計(jì)劃到2020年，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)綜合產(chǎn)能超10萬-15萬片/月。
據(jù)Digitimes報(bào)道，合肥長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地所需的300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，待裝機(jī)完成之后，從2018年下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。
2018年4月15日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的董事長(zhǎng)王寧國(guó)在合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)上表示，合肥長(zhǎng)鑫DRAM內(nèi)存芯片一期(一廠廠房)已于2018年1月完成建設(shè)，并開始安裝設(shè)備;2018年底就將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲(chǔ)器的工程樣品;2019年底有望達(dá)到2萬片/月的產(chǎn)能;2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè);2021年要完成對(duì)17nm工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)研發(fā)。王寧國(guó)表示，希望 2018 年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。在將來，合肥長(zhǎng)鑫希望憑借自身的DRAM IDM平臺(tái)，來大力扶持處在行業(yè)上游的、國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
業(yè)界預(yù)計(jì)，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目正式投產(chǎn)后，將占據(jù)世界DRAM市場(chǎng)約8%的份額。 |
